بررسی خواص الکترونی تک لایه mos2 با روش تابع چگالی

در این رساله به بررسی خواص ساختاری و الکترونی تک لایه با استفاده از تقریب های معمول در نظریه تابعی چگالی می پردازیم. در این تحقیق، ساختار تک لایه به دلیل وجود اوربیتال نیمه پرd در اتم مولیبدن، سیستم را هم بصورت همبسته قوی و هم بصورت معمول محاسبه می کنیم. با انجام محاسبات بصورت تقریب های معمول در نظریه ی تابعی چگالی از قبیل تقریب های و مشاهده می شود که نتایج بدست آمده در توافق خوبی با تقریب می باشد. جدید بودن این تحقیق در مقایسه با پژوهش های پیشین در این موضوع است که ما همه ی محاسبات الکترونی را انجام داده و تغییرات جفت شدگی اسپین- اوربیتال را نیز لحاظ می کنیم. حداکثر نوار ظرفیت و حداقل نوار رسانش بر روی ناحیه ی بریلوئن مورد بررسی قرار می گیرد. ما با استفاده از همه ی محاسبات الکترونی، گذار غیر مستقیم شکاف نواری در یک لایه ی را مورد تأیید قرار می دهیم. و چگالی پیش بینی شده برای حالت های را در یک منفرد محاسبه می کنیم. شکافته شدن اسپین بر اثر از دست دادن تقارن معکوس موجود در تک لایه ، برای نوار ظرفیت و رسانش مورد بررسی قرار می گیرد. در این روش از پارامتر، پدرو- وانگ بر روی انرژی همبستگی استفاده می کنیم. نمونه گیری از ناحیه بریلوئن یک تک لایه با نقطه انجام می شود که در آن می باشد. چگالی حالت پیش بینی شده برای حالت ها، با شبکه ی بسیار دقیقی از نقطه ساخته می شود.